机译:勘误:''在半绝缘Gaas中EL2中心对场增强电子捕获的证据以及对Gaas辐射探测器的影响''[J.申请物理学。 75,7910(1994)]
机译:半绝缘GaAs中EL2能级的电场增强电子俘获系数
机译:勘误:“低温生长的n型GaAsBi和GaAs中的深能级缺陷” [J.应用物理113,133708(2013)]
机译:勘误:“ InGaAs / GaAs(001)外延生长过程中位错介导的应变弛豫的X射线倒易位图” [J.应用物理110,113502(2011)]
机译:半绝缘GaAs中EL2缺陷的高场ODMR调查
机译:EL2中心在半绝缘GAAs中捕获现场增强电子的证据及对GaAs辐射探测器的影响